0 garantiza velocidades de lectura y escritura de hasta 32,2 Gbps.
Él Samsung Hoy lanzó su última solución de almacenamiento UFS de alta velocidad, que ofrece niveles de rendimiento que hacen que los discos duros tradicionales sean una vergüenza. El nuevo estándar UFS 4.0 garantiza velocidades de lectura y escritura de hasta 32,2 Gbps. Según la compañía, esto hace que la carga lenta de archivos grandes en la memoria sea «una cosa del pasado». Esta noticia es muy emocionante para los fanáticos de los teléfonos inteligentes Galaxy Samsung Aquellos que han anticipado durante mucho tiempo una revolución en las velocidades de almacenamiento del teléfono. Si bien aún no está claro qué dispositivos se actualizarán con UFS 4.0, es seguro decir que la línea Galaxy S23 será selecta.
Con solo unos meses más para la próxima generación de teléfonos inteligentes de alta gama, Samsung espera anunciar una de las tecnologías que se presentarán junto con los teléfonos inteligentes insignia el próximo año: Tecnología Memoria UFS 4.0.
La compañía presentó hoy lo que afirma ser la solución de almacenamiento flash más eficiente hasta la fecha, capaz de duplicar la velocidad alcanzada por la tecnología UFS 3.1 utilizada en la mayoría de los teléfonos inteligentes de gama alta en la actualidad.
El nuevo chip de almacenamiento UFS 4.0 podría presentarse con el Galaxy S23 el próximo año.
El almacenamiento UFS 4.0 ofrece velocidades de hasta 32,2 Gbps.
La compañía asegura que esta nueva solución de almacenamiento es apta para smartphones con conectividad 5G, que requiere un procesamiento de datos a gran escala. Además, UFS 4.0 puede alcanzar un ancho de banda de hasta 23,2 Gbps por «canal», que es el doble que UFS 3.1.
“Con el avanzado V-NAND de séptima generación de Samsung y el controlador patentado, UFS 4.0 ofrece velocidades de lectura en serie de hasta 4200 MB/s y velocidades de escritura secuencial de hasta 2800 MB/s”.
Además de las mejoras de rendimiento y ancho de banda, UFS 4.0 también incluye mejoras en el consumo de energía para un mayor rendimiento. Según Samsung, este tipo de dispositivo con chip puede alcanzar velocidades de lectura de hasta 6 MB/s por millón, lo que es un 46 % mejor que la generación anterior.
A todos ellos habría que añadir un diseño muy pequeño con unas dimensiones máximas de 11 x 13 x 11 milímetros. Dependiendo de la capacidad, hay varios tipos hasta 1 TB.
Samsung planea producir en masa chips de memoria UFS 4.0 en el tercer trimestre de este año. Si bien es poco probable que los teléfonos inteligentes plegables de próxima generación de la marca incorporen esta tecnología, es creíble que el Samsung Galaxy S23 haga su debut con UFS 4.0 el próximo año.
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